IGBT使用注意事項：

使用中IGBT的注意事項

由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現電隔離。
由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿
是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：

　　在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子
時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸； 在用導
電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊； 盡量在
底板良好接地的情況下操作。 在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超
過柵極*大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合
，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信
號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。

　　此外，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨
著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有
電流流過。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及
至損壞。

　　在使用IGBT的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路
狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵
極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。

　　在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)
和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，*好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。
一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱**時將導
致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散
熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止
IGBT模塊工作。

保管時的注意事項

一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態(tài)，不應偏離太大。常溫的規(guī)
定為5～35℃ ，常濕的規(guī)定在45～75％左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用
加濕機加濕; 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合； 在溫度發(fā)生急劇
變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變
化較小的地方； 保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物； 裝IGBT模塊
的容器，應選用不帶靜電的容器。

　　IGBT模塊由于具有多種優(yōu)良的特性，使它得到了快速的發(fā)展和普及，已
應用到電力電子的各方各面。因此熟悉IGBT模塊性能，了解選擇及使用時的
注意事項對實際中的應用是十分必要的。

在中大功率的開關電源裝置中,IGBT由于其控制驅動電路簡單、工作頻率較高
、容量較大的特點,已逐步取代晶閘管或GTO。但是在開關電源裝置中,由于它
工作在高頻與高電壓、大電流的條件下,使得它容易損壞,另外,電源作為系統(tǒng)
的前級,由于受電網波動、雷擊等原因的影響使得它所承受的應力更大,故IGB
T的可靠性直接關系到電源的可靠性。因而,在選擇IGBT時除了要作降額考慮外
,對IGBT的保護設計也是電源設計時需要重點考慮的一個環(huán)節(jié)。