產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
我們的產(chǎn)品包括半導體器件、功率模塊、模組和系統(tǒng)。我們?yōu)榭蛻籼峁┊a(chǎn)品新技術、和服務，為客戶創(chuàng)造價值，提供的產(chǎn)品和服務，實現(xiàn)可持續(xù)的未來。
詳情介紹：
我們公司代理銷售德國賽米控丹佛斯/西門康semikronIGBT模塊下屬八大系列: Semix系列IGBT模塊、SEMITRANS系列IGBT模塊、SKiM系列 IGBT模塊、Mini skiip系列IGBT模塊、 SEMITOP系列模塊。為您提供不同封裝形式,如SEMIPACK、SEMiSTART、SEMIPONT和SEMITOP。采用不同的連接技術,有焊接、鍵合或壓接模塊可供選擇。
賽米控丹佛斯提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊，支持不同的拓撲結構、額定電流和電壓。這些IGBT模塊的電流范圍為4A至1400A，電壓級別為600V至1800V。它們可用于各種應用，并采用多項關鍵技術，如燒結以及實現(xiàn)快捷裝配的彈簧或press-fit連接。提供不同的拓撲結構，提供不同的拓撲結構，如CIB（整流-逆變-制動）、半橋、H橋、三相全橋和三電平等，涵蓋幾乎所有應用領域。結合新的IGBT芯片和CAL二極管技術。新代IGBT7已正式應用于賽米控丹佛斯功率模塊，其帶來更高功率密度并確立了新的性能評價基準，特別是在電機驅(qū)動和太陽能應用中。
現(xiàn)貨銷售賽米控IGBT模塊;德國賽米控模塊;賽米控SEMIKRON模塊 SKIIP模塊 原裝等產(chǎn)品型號：
SKiiP35NAB126V1
IGBT ModulesMiniSKiiP II 3 (82x59x16)
Part Number 25230110
Product Status Not for new designs
Housing MiniSKiiP II 3 (82x59x16)
(LLxBBxHH) 82x59x16
Switches Seven Pack
VCES in V 1200
ICnom in A 50
Technology IGBT 3 (Trench)
MiniSKiiP®的優(yōu)勢：
MiniSKiiP模塊獨特的機械特點是簡易的裝配和服務友好型彈簧接觸技術。與傳統(tǒng)的焊接或壓裝模塊相比，MiniSKiiP模塊的裝配不需要專用的設備（自動壓力機、波峰焊機）。相反，只需使用一個或兩個螺絲連接即可。印制電路板（PCB）、功率模塊和散熱器在一個安裝步驟中完成組裝。印刷電路板上不需要焊接引腳或壓接孔，因此PCB設計更具靈活性。彈簧在PCB和電源電路之間提供了一種靈活的連接方式，這一點遠優(yōu)于焊接連接，特別是在熱應力或機械應力條件下，會影響其使用壽命。得益于彈簧提供的高機械壓力，可以實現(xiàn)氣密、可靠的電氣連接。
MiniSKiiP®產(chǎn)品特點：
低成本組裝，高生產(chǎn)率和產(chǎn)量
小型、緊湊的系統(tǒng)設計
可靠性和使用壽命長
中低功率范圍從400W到110kW。
MiniSKiiP®的關鍵特性：
免焊接的SPRiNG技術，可實現(xiàn)快速、簡便的裝配。無銅底板，實現(xiàn)高性價比的設計和高熱性能
簡便靈活的PCB布線，無需引腳孔
拓撲結構配置：CIB、三相全橋、雙三相全橋、H橋、半橋、三電平NPC/TNPC/ANPC、升壓拓撲結構（升壓斬波器、飛跨電容升壓、對稱升壓）
MiniSKiiP®的應用：
MiniSKiiP®的產(chǎn)品范圍：
MiniSKiiP模塊產(chǎn)品組合覆蓋600V-1700V電壓，4A - 600A電流。除了IGBT3和IGBT4的芯片之外，新的第7代IGBT芯片和碳化硅器件均可適配其中。標準的電機驅(qū)動拓撲包括CIB, 三相全橋, 雙三相全橋，半橋和相應的不控/半控和全控制整流拓撲和斬波拓撲。用于UPS應用的NPC和對稱升壓拓撲結構，基于快速開關650V IGBT和二極管可實現(xiàn)*高功率密度達100kVA的UPS系統(tǒng)。
更重要的是，新的芯片技術，如全碳化硅和混合碳化硅功率模塊，將效率和功率密度提升到更高的水平。為了快速評估，可以為大多數(shù)功率模塊訂購測試PCB板。
在此基礎上，所有功率模塊還可提供預涂高性能導熱硅脂，這是一種標桿性的熱界面材料。
